TC58NVG0S3ETA00
Specyfikacje
Prąd zasilania — maks:
30 ma
Kategoria produktu:
Pamięć flash
Typ pamięci:
NAND
Styl montażu:
SMD/SMT
Napięcie zasilania — maks:
3,6 V
Rozmiar pamięci:
1 Gbit
Opakowanie:
Płytka
Napięcie zasilania — min:
2,7 V
Opakowanie / Pudełko:
TSOP-48
Zestaw:
TC58NVG0S3
Typ interfejsu:
Równoległy
Zakres temperatury pracy:
0 C do + 70 C
Prędkość:
25 ns
Producent:
TOSHIBA
Wprowadzenie
TC58NVG0S3ETA00 od Toshiba, to pamięć flash. co oferujemy mamy konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych części.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY

TC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM

/TGBMFG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM

TC58NVG2S3ETA
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

THGBMDG5D1LBAIL
Flash Memory 4GB NAND EEPROM

THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ

TC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

/TGBMFG6C1LBAIL
Flash Memory 8GB NAND EEPROM

THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ

TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

TH58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
![]() |
/TGBMFG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG2S3ETA |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
THGBMDG5D1LBAIL |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
![]() |
TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
/TGBMFG6C1LBAIL |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
![]() |
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
![]() |
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
![]() |
TH58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: