IXGA12N120A3
producent:
IXYS
Opis:
IGBT Transistors 1200V, 12A IGBT; Tranzystory IGBT 1200V, 12A IGBT; G Series
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
100 nA
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
SMD/SMT
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
22A
Pd — rozpraszanie mocy:
100 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1,2 kV
Opakowanie / Pudełko:
TO-263AA-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
+/- 20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
2,4 V
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXGA12N120A3, z IXYS, to tranzystory IGBT. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: