IXGT6N170A
producent:
IXYS
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
SMD/SMT
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1700 W
Opakowanie / Pudełko:
TO-268-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXGT6N170A, od IXYS, to tranzystory IGBT. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: