IGP30N60H3
producent:
Technologie Infineon
Opis:
Tranzystory IGBT 600V 30A 187W
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
100 nA
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
60 A
Pd — rozpraszanie mocy:
187 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
600 V
Opakowanie / Pudełko:
DO-220-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 175 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
1,95 V
Producent:
Infineon Technologies
Wprowadzenie
IGP30N60H3, z Infineon Technologies, to tranzystory IGBT. Oferujemy konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
|
|
IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
|
|
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
|
|
AUIRG4PH50S |
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: