IHW30N160R2
producent:
Technologie Infineon
Opis:
Tranzystory IGBT RC-IGBT MONODIODA 1600V 30A
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
100 nA
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
60 A
Pd — rozpraszanie mocy:
312 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1600 V
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 175 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
2,35 V
Producent:
Infineon Technologies
Wprowadzenie
IHW30N160R2, z Infineon Technologies, to tranzystory IGBT. Oferujemy konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
AUIRG4PH50S
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
|
|
IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
|
|
AUIRG4PH50S |
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: