IXBT42N300HV
producent:
IXYS
Opis:
Tranzystory IGBT
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
+/- 200 nA
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
SMD/SMT
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
104 A
Pd — rozpraszanie mocy:
500 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
3kV
Opakowanie / Pudełko:
TO-268HV-2
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
+/- 25 V
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
2,5 V
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXBT42N300HV, od IXYS, to tranzystory IGBT. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: