IXLF19N250A
producent:
IXYS
Opis:
IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; Tranzystory IGBT Wysokie napięcie IGBT 2500V;
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
500 nA
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
32 A
Pd — rozpraszanie mocy:
250 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
2,5 kV
Opakowanie / Pudełko:
ISOPLUS i4-PAC-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
+/- 20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
3,2 V
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXLF19N250A, od IXYS, to transistory IGBT. Co oferujemy mają konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: