IXBT42N170
producent:
IXYS
Opis:
Tranzystory IGBT BIMOSFET 1700V 75A
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
SMD/SMT
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1700 W
Opakowanie / Pudełko:
TO-268-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
2,3 V
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXBT42N170, z IXYS, to IGBT Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: