IXGR32N170H1
producent:
IXYS
Opis:
Tranzystory IGBT 17 A 1700 V 5,2 Rds
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
SMD/SMT
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
38 A
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1,7 kV
Opakowanie / Pudełko:
ISOPLUS247-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
+/- 20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
3,5 V
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXGR32N170H1, z IXYS, to tranzystory IGBT. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: