IXYH30N120C3D1
producent:
IXYS
Opis:
Tranzystory IGBT XPT 1200 V IGBT GenX4 XPT IGBT
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
100 nA
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
66A
Pd — rozpraszanie mocy:
416 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1200 V
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
30 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
3,7 V
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXYH30N120C3D1, z IXYS, to tranzystory IGBT. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: