IXBH16N170
producent:
IXYS
Opis:
Tranzystory IGBT 1700V 25A
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
Przez dziurę
Pd — rozpraszanie mocy:
150 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1700 W
Opakowanie / Pudełko:
TO-247AD-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
20 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXBH16N170, z IXYS, to IGBT Transistory. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: