IPG20N04S412ATMA1
Opis:
IPG20N04S412ATMA1 Arkusz danych PDF i tranzystory - FET, MOSFETS - Dane produktu tablicy z IR (Infin
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Numer części:
IPG20N04S412ATMA1
Producent:
Podczerwień (technologie Infineon)
Opis:
W magazynie. Dostępne są modele alternatywne.
Koło życia:
Nowe od tego producenta
Arkusz danych:
IPG20N04S412ATMA1 DATASHEEK PDF
WYROWKA:
DHL, UPS, FedEx, Poczta polecona
Wypłata:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Więcej informacji:
IPG20N04S412ATMA1 Więcej informacji
ECAD:
Poproś o bezpłatne modele CAD
Cennik (USD):
1,06 dolara
Uwaga:
Producent: IR (Infineon Technologies). Tanssion jest jednym z Dystrybutorów. Szeroki zakres zastosow
Szerokość:
6,15 mm
Długość:
5,15 mm
Opakowanie:
Taśma i rolka
Rds na maks:
12,2 MΩ
Liczba PINÓW:
8
Pojemność wejściowa:
1.13 NF
Czas opóźnienia włączenia:
9 ns
Czas opóźnienia wyłączenia:
10 nS
Maksymalne rozpraszanie mocy:
41 W
Maksymalna temperatura robocza:
175°C
Rezystancja odpływu do źródła:
12,2 MΩ
Ciągły prąd drenu (Id):
20 A
Napięcie przebicia drenu do źródła:
40 V
Kategoria produktów:
Dyskretny półprzewodnik - Tranzystory - FET, MOSFET - Tablice
Arkusz danych:
IPG20N04S412ATMA1.PDF
ILOŚĆ:
3623 W magazynie
Wnioski:
Test i pomiar hybrydowy, elektryczny i napędowy system szerokopasmowy dostęp do linii stałej
Wysokość:
1 mm
Czas upadku:
8 ns
Czas wschodu:
2 ns
Harmonogram B:
8541290080
Ilość pakietu:
5000
Rozpraszanie mocy:
41 W
Odporność na stan:
12,2 MΩ
Konfiguracja elementu:
Podwójny
Maksymalne podwójne napięcie zasilania:
40 V
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Bramka do napięcia źródła (Vgs):
20 V
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
40 V
Wprowadzenie
IPG20N04S412ATMA1 Przegląd\\\\nIPG20N04S412ATMA1 jest modelem należącym do podkategorii Tranzystorów - FET, MOSFET - Arrays w ramach dyskretnego półprzewodnika.,prosimy o zapoznanie się z arkuszem danych, np. plikami PDF, dokumentami Docx itp. Mamy dla odwołania zdjęcia IPG20N04S412ATMA1 w wysokiej rozdzielczości i arkusze danych.Będziemy nadal produkować różne pliki wideo i modele 3D dla użytkowników, aby zrozumieć nasz produkt bardziej intuicyjnie i kompleksowoIPG20N04S412ATMA1 jest szeroko stosowany w badaniach i pomiarach, hybrydowych, elektrycznych i układach napędowych, szerokopasmowym dostępie do linii stałych.Tension i pozostali dystrybutorzy. IPG20N04S412ATMA1 można kupić na wiele sposobów. Możesz zamówić bezpośrednio na tej stronie internetowej, lub możesz zadzwonić lub wysłać e-mail do nas. Obecnie mamy wystarczające zapasy.Możemy również dostosować zapasy do dystrybutorów, aby spełnić Twoje potrzeby.Jeśli podaż IPG20N04S412ATMA1 jest niewystarczająca, mamy również inne modele w kategorii Transistory Półprzewodnikowe - FET, MOSFET - Arrays, aby go zastąpić. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansJeśli chodzi o dostawę, możemy dostarczyć towary do naszych klientów poprzez różne systemy logistyczne, takie jak DHL, FedEx, UPS,TNT i EMS lub jakikolwiek inny spedytorJeśli chcesz wiedzieć więcej o przewozie, skontaktuj się z nami.
Arkusz danych PDF
Arkusz danych PDF
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: