FDC3601N
Opis:
FDC3601N Arkusz danych PDF i tranzystory - FET, MOSFETS - tablice Szczegóły produktu z sanyo półprze
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Numer części:
FDC3601N
Producent:
Półprzewodnik Sanyo/ON Semiconductor
Opis:
W magazynie. Dostępne są modele alternatywne.
Koło życia:
Nowe od tego producenta
Arkusz danych:
FDC3601N Arkusz danych PDF
WYROWKA:
DHL, UPS, FedEx, Poczta polecona
Wypłata:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Więcej informacji:
FDC3601N Więcej informacji
ECAD:
Poproś o bezpłatne modele CAD
Cennik (USD):
0,55 dolara
Uwaga:
Producent: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tanssion jest jednym z Dystrybutorów. Szeroki zakre
Uchwyt:
Powierzchnia
Wysokość:
1 mm
Waga:
36 mg
Opakowanie:
Wytnij taśmę
Rds na maks:
500 mΩ
Harmonogram B:
8541210080
Aktualna ocena:
1A
Pojemność wejściowa:
153 pf
Próg napięcia:
2,6 V
Czas opóźnienia włączenia:
8 ns
Napięcie znamionowe (DC):
100 V
Maksymalne rozpraszanie mocy:
960 MW
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Bramka do napięcia źródła (Vgs):
20 V
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
100 V
Kategoria produktów:
Dyskretny półprzewodnik - Tranzystory - FET, MOSFET - Tablice
Arkusz danych:
FDC3601N.PDF
ILOŚĆ:
9195 w magazynie
Wnioski:
Test i pomiar Sieć przewodowa
Szerokość:
1,7 mm
Długość:
3 mm
Czas upadku:
4 ns
Czas wschodu:
4 ns
Opór:
500 mΩ
Skrzynia/Opakowanie:
SOT-23-6
Liczba PINÓW:
6
Rozpraszanie mocy:
960 MW
Liczba elementów:
2
Czas opóźnienia wyłączenia:
11 ns
Konfiguracja elementu:
Podwójny
Maksymalna temperatura robocza:
150°C
Rezystancja odpływu do źródła:
500 mΩ
Ciągły prąd drenu (Id):
1A
Napięcie przebicia drenu do źródła:
100 V
Wprowadzenie
FDC3601N jest modelem należącym do podkategorii Tranzystory - FET, MOSFET - Arrays w ramach dyskretnego półprzewodnika.Proszę zapoznać się z arkuszem danych, takich jak pliki PDF, dokumenty Docx itp. Mamy zdjęcia FDC3601N w wysokiej rozdzielczości i arkusze danych do odniesienia.Będziemy nadal produkować różne pliki wideo i modele 3D dla użytkowników, aby zrozumieć nasz produkt bardziej intuicyjnie i kompleksowoFDC3601N jest szeroko stosowany w badaniach i pomiarach, sieciach drogowych. Jest produkowany przez Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor i dystrybuowany przez Fans, Tanssion i innych dystrybutorów.FDC3601N można kupić na wiele sposobów/Możesz zamówić bezpośrednio na tej stronie, /albo możesz zadzwonić lub wysłać nam e-mail. /Obecnie mamy wystarczające zapasy.Możemy również dostosować zapasy do dystrybutorów, aby spełnić Twoje potrzeby.Jeśli zaopatrzenie w FDC3601N jest niewystarczające, mamy również inne modele w kategorii Tranzystory półprzewodnikowe dyskretne - FET, MOSFET - Arrays, które mogą go zastąpić. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansJeśli chodzi o dostawę, możemy dostarczyć towary do naszych klientów poprzez różne systemy logistyczne, takie jak DHL, FedEx, UPS,TNT i EMS lub jakikolwiek inny spedytorJeśli chcesz wiedzieć więcej o przewozie, skontaktuj się z nami.
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: