SI1029X-T1-E3
Opis:
SI1029X -T1 -E3 Arkusz danych PDF i tranzystory - FET, MOSFETS - Szczegóły produktu z tablic z zapas
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Numer części:
SI1029X-T1-E3
Producent:
Vishay/Siliconix
Opis:
W magazynie. Dostępne są modele alternatywne.
Koło życia:
Nowe od tego producenta
Arkusz danych:
SI1029X-T1-E3 Arkusz danych PDF
WYROWKA:
DHL, UPS, FedEx, Poczta polecona
Wypłata:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Więcej informacji:
SI1029X-T1-E3 Więcej informacji
ECAD:
Poproś o bezpłatne modele CAD
Cennik (USD):
0 dolarów.00
Uwaga:
Producent: Vishay/Siliconix. Tanssion jest jednym z Dystrybutorów. Szeroki zakres zastosowań.
Uchwyt:
Powierzchnia
Wysokość:
600 µm
Waga:
32,006612 mg
Opór:
4 Ω
Zakończenie:
SMD/SMT
Liczba PINÓW:
6
Rozpraszanie mocy:
250 mW
Liczba kanałów:
2
Czas opóźnienia włączenia:
20 sekund
Czas opóźnienia wyłączenia:
35 nS
Maksymalne rozpraszanie mocy:
250 mW
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Bramka do napięcia źródła (Vgs):
20 V
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
60 V
Kategoria produktów:
Dyskretny półprzewodnik - Tranzystory - FET, MOSFET - Tablice
Arkusz danych:
SI1029x-T1-E3.pdf
ILOŚĆ:
419 w magazynie
Wnioski:
Sieć przewodowa Testy i pomiary Przechowywanie danych
Szerokość:
1,2 mm
Długość:
1,7 mm
Rds na maks:
3 Ω
Nominalne Vgs:
2,5 V
Skrzynia/Opakowanie:
SC
Pojemność wejściowa:
30 pF
Próg napięcia:
2,5 V
Liczba elementów:
2
Podwójne napięcie zasilania:
60 V
Konfiguracja elementu:
Samotny
Maksymalna temperatura robocza:
150°C
Rezystancja odpływu do źródła:
4 Ω
Ciągły prąd drenu (Id):
305 mA
Napięcie przebicia drenu do źródła:
60 V
Wprowadzenie
SI1029X-T1-E3 Przegląd\\nSI1029X-T1-E3 jest modelem należącym do podkategorii Tranzystorów - FET, MOSFET - Arrays w ramach dyskretnego półprzewodnika.Proszę zapoznać się z arkuszem danychMamy zdjęcia wysokiej rozdzielczości SI1029X-T1-E3 i arkusze danych do odniesienia.Będziemy nadal produkować różne pliki wideo i modele 3D dla użytkowników, aby zrozumieć nasz produkt bardziej intuicyjnie i kompleksowo. SI1029X-T1-E3 jest szeroko stosowany w sieciach przewodowych, testach i pomiarach, przechowywaniu danych. Jest wytwarzany przez Vishay / Siliconix i dystrybuowany przez Fans, Tanssion i innych dystrybutorów.SI1029X-T1-E3 można kupić na wiele sposobów/Możesz zamówić bezpośrednio na tej stronie, /albo możesz zadzwonić lub wysłać nam e-mail. /Obecnie mamy wystarczające zapasy.Możemy również dostosować zapasy do dystrybutorów, aby spełnić Twoje potrzeby.Jeśli zaopatrzenie w SI1029X-T1-E3 jest niewystarczające, mamy również inne modele w kategorii Transistory Półprzewodnikowe - FET, MOSFET - Arrays, które mogą go zastąpić. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansJeśli chodzi o dostawę, możemy dostarczyć towary do naszych klientów poprzez różne systemy logistyczne, takie jak DHL, FedEx, UPS,TNT i EMS lub jakikolwiek inny spedytorJeśli chcesz wiedzieć więcej o przewozie, skontaktuj się z nami.
71435.pdf
71435.pdf
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: