IXTN600N04T2
Opis:
Dyskretne moduły półprzewodnikowe GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu ::
Dyskretne moduły półprzewodnikowe
Styl montażu::
SMD/SMT
Minimalna temperatura robocza::
- 55 C
Opakowanie / etui::
SOT-227B
Maksymalna temperatura robocza::
+ 175 C
Opakowanie::
Rurka
Seria ::
IXTN600N04
Typ ::
TrenchT2 GigaMOS
Producent ::
IXYS
Wprowadzenie
IXTN600N04T2, z IXYS, to moduły półprzewodnikowe dyskretne.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: