PSMN025-80YLX
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
17.1 nC @ 5 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Bulk
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
2703 pF przy 25 V
Series:
-
Vgs (maks.):
±20 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Zestaw urządzeń dostawcy:
LFPAK56, moc-SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
NXP USA Inc.
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Power Dissipation (Max):
95W (Tc)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
37A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
Wprowadzenie
N-kanał 80 V 37A (Tc) 95W (Tc) Nawierzchnia LFPAK56, Power-SO8
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
PSMN021-100YLX |
PSMN021-100YL - N-CHANNEL 100V,
|
|
![]() |
NX3008PBK,215 |
NOW NEXPERIA NX3008PBK - SMALL S
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: