IPW60R120P7
producent:
Technologie Infineon
Opis:
N-kanałowy MOSFET mocy
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
36 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Through Hole
Package:
Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1544 pF @ 400 V
Series:
CoolMOS™
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 410µA
Supplier Device Package:
PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 8.2A, 10V
Mfr:
Infineon Technologies
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Rozpraszanie mocy (maks.):
95 W (Tc)
Package / Case:
TO-247-3
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
26A (Tc)
technologii:
MOSFET (tlenek metalu)
FET Feature:
-
Wprowadzenie
N-kanał 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) przez otwór PG-TO247-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: