FDC658AP
producent:
ONSEM
Opis:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.1 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 4A, 10V
Typ FET:
Kanał P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (maks.):
±25 V
Product Status:
Active
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
470 pF przy 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.6W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC658
Wprowadzenie
P-kanał 30 V 4A (Ta) 1,6 W (Ta) SuperSOTTM-6
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: