FQA36P15
producent:
ONSEM
Opis:
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
4 V przy 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 18A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Last Time Buy
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3320 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-3PN
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
Power Dissipation (Max):
294W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQA36
Wprowadzenie
P-kanał 150 V 36A (Tc) 294W (Tc) przez otwór TO-3PN
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: