FDMC6679AZ
producent:
ONSEM
Opis:
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
3 V przy 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
8-PowerWDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
91 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10 mOhm przy 11,5 A, 10 V
FET Type:
P-Channel
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
4,5 V, 10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±25V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3970 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-MLP (3.3x3.3)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11.5A (Ta), 20A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMC6679
Wprowadzenie
P-kanał 30 V 11.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Nawierzchnia 8-MLP (3.3x3.3)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: