FDD120AN15A0
producent:
ONSEM
Opis:
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (maks.):
±20 V
Product Status:
Active
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
770 pF przy 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Zestaw:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Power Dissipation (Max):
65W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDD120
Wprowadzenie
N-kanał 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Nawierzchnia TO-252AA
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: