FDMC7660
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
86 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.2mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Status produktu:
Aktywny
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4830 pF @ 15 V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Series:
PowerTrench®
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moc33
Mfr:
onsemi
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
20A (Ta), 40A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMC76
Wprowadzenie
N-kanał 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Moc montażu powierzchniowego33
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: