IRFB7537PBF
producent:
Technologie Infineon
Opis:
MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.7V @ 150µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
210 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.3mOhm @ 100A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (maks.):
±20 V
Product Status:
Active
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
7020 pF przy 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Zestaw:
HEXFET®, StrongIRFET™
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Technologie Infineon
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
173A (Tc)
Power Dissipation (Max):
230W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFB7537
Wprowadzenie
N-kanał 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) przez otwór TO-220AB
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: