IRLB8314PBF
producent:
Technologie Infineon
Opis:
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
60 nC przy 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4mOhm @ 68A, 10V
Typ FET:
Kanał N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pakiet:
Rurka
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (maks.):
±20 V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5050 pF @ 15 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
171A (Tc)
Power Dissipation (Max):
125W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRLB8314
Wprowadzenie
N-kanał 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) przez otwór TO-220-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: