Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2928 pF @ 25 V
Series:
UMW
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Supplier Device Package:
TO-252 (DPAK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 30A, 10V
Mfr:
UMW
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
4,5 V, 10 V
Power Dissipation (Max):
105W (Tc)
Opakowanie / Pudełko:
TO-252-3, DPak (2 odprowadzenia + zakładka), SC-63
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
50A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
Wprowadzenie
N-kanał 60 V 50 A (Tc) 105 W (Tc) Nawierzchnia TO-252 (DPAK)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: