Wyślij wiadomość

DMN2058U-7

producent:
Diody wbudowane
Opis:
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
7.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
281 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Mfr:
Diody wbudowane
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.6A (Ta)
Rozpraszanie mocy (maks.):
1,13 W
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numer produktu podstawowego:
DMN2058
Wprowadzenie
N-kanał 20 V 4.6A (Ta) 1.13W Nawierzchnia SOT-23-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: