Wyślij wiadomość

DMN30H4D0LFDE-7

producent:
Diody wbudowane
Opis:
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Funkcja FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
6-PowerUDFN
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
7,6 nC przy 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4Ohm @ 300mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.7V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
300 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
187.3 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
U-DFN2020-6 (Type E)
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
550mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
630mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMN30
Wprowadzenie
N-kanał 300 V 550 mA (Ta) 630 mW (Ta) Nawierzchnia U-DFN2020-6 (typ E)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: