IRFR4615TRLPBF
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
5V przy 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
TO-252-3, DPak (2 odprowadzenia + zakładka), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42 mOhm przy 21 A, 10 V
FET Type:
N-Channel
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1750 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
D-Pak
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Power Dissipation (Max):
144W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFR4615
Wprowadzenie
N-kanał 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Nawierzchnia D-Pak
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: