NDT452AP
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Temperatura pracy:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-261-4, TO-261AA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
30 nC przy 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 5A, 10V
Typ FET:
Kanał P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
690 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-223-4
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NDT452
Wprowadzenie
P-kanał 30 V 5A (Ta) 3W (Ta) Nawierzchnia SOT-223-4
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: