JANTX1N5417
producent:
Technologia mikroczipu
Opis:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.5 V @ 9 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/411
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
B, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
150 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
B, Axial
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
200 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5417
Wprowadzenie
Dioda 200 V 3A przez otwór B, osialna
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: