Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Półprzewodniki > GD25S512MDYIGR

GD25S512MDYIGR

producent:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Opis:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Category:
Integrated Circuits (ICs) Memory Memory
Rozmiar pamięci:
512Mbit
Product Status:
Active
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Zestaw:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Interfejs pamięci:
SPI — cztery wejścia/wyjścia
Write Cycle Time - Word, Page:
50µs, 2.4ms
Supplier Device Package:
8-WSON (6x8)
Memory Type:
Non-Volatile
Mfr:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Clock Frequency:
104 MHz
Voltage - Supply:
2.7V ~ 3.6V
Package / Case:
8-WDFN Exposed Pad
Memory Organization:
64M x 8
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technology:
FLASH - NOR
Base Product Number:
GD25S512
Memory Format:
FLASH
Wprowadzenie
FLASH – Układ pamięci NOR 512Mbit SPI – Cztery wejścia/wyjścia 104 MHz 8-WSON (6x8)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: