DSEI12-10A
producent:
IXYS
Opis:
DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
250 µA @ 1000 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.7 V @ 12 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr):
60 ns
Mfr:
IXYS
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-40°C ~ 150°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1000 V
Current - Average Rectified (Io):
12A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
DSEI12
Wprowadzenie
Dioda 1000 V 12A przez otwór TO-220AC
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: