UGE1112AY4
producent:
IXYS
Opis:
DIODA GEN PURP 8KV 4,2A UGE
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 mA @ 8000 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
6.25 V @ 7 A
Package:
Box
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
UGE
Mfr:
IXYS
Technology:
Standard
Package / Case:
UGE
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
8000 V
Current - Average Rectified (Io):
4.2A
Prędkość:
Standardowe odzyskiwanie >500ns, >200mA (Io)
Base Product Number:
UGE1112
Wprowadzenie
Diodę 8000 V 4.2A podwozia UGE
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: