IXXN110N65C4H1
producent:
IXYS
Opis:
IGBT MOD 650 V 210 A 750 W SOT227B
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
IGBTs
IGBT Modules
Current - Collector (Ic) (Max):
210 A
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Series:
XPT™, GenX4™
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.35V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
650 V
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max):
50 µA
IGBT Type:
PT
Power - Max:
750 W
Input:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
3,69 nF przy 25 V
Configuration:
Single
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Base Product Number:
IXXN110
Wprowadzenie
Moduł IGBT PT Jednorazowy 650 V 210 A 750 W Podwozie, montaż SOT-227B
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: