SSM3J328R,LF
producent:
Toshiba półprzewodniki i magazyny
Opis:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Funkcja FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
Temperatura pracy:
150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-3 Flat Leads
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
12,8 nC przy 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Typ FET:
Kanał P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
840 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
U-MOSVI
Supplier Device Package:
SOT-23F
Mfr:
Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SSM3J328
Wprowadzenie
P-kanał 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Nawierzchnia SOT-23F
Related Products
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
|
|
|
|
SSM3J332R,LF |
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: