JANTX1N5619
producent:
Technologia mikroczipu
Opis:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
500 nA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.6 V @ 3 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/429
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
A, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
250 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
A, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
600 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
1N5619
Wprowadzenie
Dioda 600 V 1A przez otwór A, osialna
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: