DMG1013T-7
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
Funkcja FET:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
1 V przy 250µA
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
SOT-523
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
0,622 nC przy 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
700 mOhm przy 350 mA, 4,5 V
Typ FET:
Kanał P
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
1,8 V, 4,5 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
20 V
Vgs (maks.):
±6 V
Status produktu:
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
59,76 pF przy 16 V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Zestaw:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT-523
Mfr:
Diody wbudowane
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
460 mA (Ta)
Rozpraszanie mocy (maks.):
270 mW (Ta)
technologii:
MOSFET (tlenek metalu)
Numer produktu podstawowego:
DMG1013
Wprowadzenie
P-kanał 20 V 460mA (Ta) 270mW (Ta) Nawierzchnia SOT-523
ZAŁĄCZONE PRODUKTY

DMTH43M8LFGQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

DMP4015SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8

ZXMP6A13FTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3

DMG301NU-7
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23

DMTH6016LPSQ-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26

DMP3010LK3-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3

DMP2165UW-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
DMTH43M8LFGQ-13 |
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
|
|
![]() |
DMP4015SPSQ-13 |
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
|
|
![]() |
ZXMP6A13FTA |
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
|
|
![]() |
DMG301NU-7 |
MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
|
|
![]() |
DMTH6016LPSQ-13 |
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
|
|
![]() |
ZXMN6A07FTA |
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
|
|
![]() |
ZXMP6A17GTA |
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
|
|
![]() |
ZXMP6A17E6TA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
|
|
![]() |
DMP3010LK3-13 |
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
|
|
![]() |
DMP2165UW-7 |
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: