1N5619
producent:
Technologia mikroczipu
Opis:
DIODA GEN PURP 600V 1A OSIOWA
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
500 nA przy 600 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1,6 V przy 3 A
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
25 pF przy 12 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
A, osiowy
Czas przywracania wstecznego (trr):
250 ns
Mfr:
Technologia mikroczipów
technologii:
Standardowy
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
A, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
600 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
1N5619
Wprowadzenie
Dioda 600 V 1A przez otwór A, osialna
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: