Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Półprzewodniki > SPP11N80C3

SPP11N80C3

producent:
Technologie Infineon
Opis:
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
11A
Styl montażu:
Przez dziurę
Nazwa handlowa:
CoolMOS
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
DO-220-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
800 V
Opakowanie:
Rurka
Vgs th - Napięcie progowe bramki-źródła:
2,1 V
Kategoria produktu:
MOSFET
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
390 mOhm
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
+/- 20 V
Qg — Ładunek Bramy:
85 nC
Producent:
Infineon Technologies
Wprowadzenie
SPP11N80C3 od Infineon Technologies, jest MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: