NX7002BKSX
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
330 mA, 330 mA
Styl montażu:
SMD/SMT
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
SOT-363-6
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
60 V, 60 V
Opakowanie:
Rolka
Vgs th - Napięcie progowe bramki-źródła:
1.1 V, 1.1 V
Kategoria produktu:
MOSFET
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
5,7 oma, 5,7 oma
Liczba kanałów:
2 kanały
Vgs - napięcie bramka-źródło:
20 V, 20 V
Qg — Ładunek Bramy:
1 nC, 1 nC
Producent:
Nexperia
Wprowadzenie
NX7002BKSX,z Nexperia,to MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku,w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products

BSS123,215
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A

PMGD175XNEX
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1

BSS84AKS,115
MOSFET P-CH -50 V -160 mA

NX3008NBK,215
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET

NX7002BKR
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET

BSS84215
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA

NX3008NBKS,115
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET

NX7002AK
MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET

BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60 V 360 mA

NX1029X,115
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
BSS123,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
|
|
![]() |
PMGD175XNEX |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
|
|
![]() |
BSS84AKS,115 |
MOSFET P-CH -50 V -160 mA
|
|
![]() |
NX3008NBK,215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET
|
|
![]() |
NX7002BKR |
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
|
|
![]() |
BSS84215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
|
|
![]() |
NX3008NBKS,115 |
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
|
|
![]() |
NX7002AK |
MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET
|
|
![]() |
BSS138BK,215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
|
|
![]() |
NX1029X,115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: