DMP58D0SV-7
producent:
Diody wbudowane
Opis:
MOSFET 2P-CH 50V 0,16A SOT-563
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT-563
Kategoria produktu:
MOSFET
Zapas fabryczny:
372000
Minimalna ilość:
3000
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
27 pF przy 25 V
Opakowanie / Pudełko:
SOT-563, SOT-666
Stan części:
Aktywny
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
160mA
Opakowanie:
Taśma i szpula (TR)
@ ilość:
0
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET:
2 kanały P (podwójne)
Funkcja FET:
Bramka poziomu logicznego
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
50V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8 omów przy 100 mA, 5 V
Moc — maks:
400 mW
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
2,1 V przy 250 µA
Zestaw:
-
Producent:
Diody wbudowane
Wprowadzenie
DMP58D0SV-7, z Diodes Incorporated, to MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
DMG1012T-7
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
DMG2302UK-7
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMP2008UFG-7
MOSFET 20V P-CH MOSFET
DMP6023LFGQ-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2N7002DW-7-F
MOSFET 60V 200mW
BSS138DW-7-F
MOSFET 50V 200mW
BSS138W-7-F
MOSFET 50V 200mW
DMTH6005LK3Q-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
BSS84-7-F
MOSFET -50V 250mW
DMN61D9UW-7
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
|
|
|
|
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
|
|
DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
|
|
|
BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
|
|
|
|
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: