TGF3015-SM
producent:
Korwo
Opis:
Tranzystory RF JFET, wzmocnienie 03-3 GHz, 17 dB P3dB, 9,3 W przy 2,4 GHz GaN
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
GaN SiC
Kategoria produktu:
Transistory JFET
Styl montażu:
SMD/SMT
Zyski:
17,1 dB
Typ tranzystora:
HEMT
Pd — rozpraszanie mocy:
15,3 W
Opakowanie / Pudełko:
QFN-EP-16
Moc wyjściowa:
11 W
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
32 V
Opakowanie:
Płytka
Id — ciągły prąd drenu:
557 mA
Vgs – napięcie przebicia bramki-źródła:
- 2,7 V
Producent:
Korwo
Wprowadzenie
TGF3015-SM, od Qorvo, to RF JFET Transistory.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
QPD1000
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
|
|
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
|
|
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
|
|
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
|
|
QPD1015L |
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
|
|
QPD1000 |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
|
|
|
|
TGF2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: