W9425G6KH-5I
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC DRAM 256M RÓWNOLEGLE 66TSOP II
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
technologii:
SDRAM — DDR
Kategoria produktu:
Układy scalone pamięci
Typ pamięci:
Lotny
Zapas fabryczny:
0
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
15ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
66-TSOP II
Czas dostępu:
55ns
Format pamięci:
NAPARSTEK
Stan części:
Aktywny
Rozmiar pamięci:
256 MB (16 MB x 16)
Opakowanie:
Płytka
@ ilość:
0
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Minimalna ilość:
108
Interfejs pamięci:
Równoległy
Opakowanie / Pudełko:
66-TSSOP (0,400", 10,16 mm szerokości)
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Częstotliwość zegara:
200 MHz
Napięcie - zasilanie:
2,3 V ~ 2,7 V
Zestaw:
-
Producent:
Elektronika Winbonda
Wprowadzenie
W9425G6KH-5I, od Winbond Electronics, to układy pamięciowe IC.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNIG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: