TC58BVG2S0HTA00
Specyfikacje
Prąd zasilania — maks:
30 ma
Kategoria produktu:
EEPROM
Styl montażu:
SMD/SMT
Minimalna temperatura pracy:
0 C
Organizacja:
512 M x 8
Opakowanie / Pudełko:
TSOP-48
Maksymalna temperatura robocza:
+ 70 C
Rozmiar pamięci:
4 Gb
Opakowanie:
Płytka
Zestaw:
TC58BVG2S0
Robocze napięcie zasilania:
3,3 V
Typ interfejsu:
Równoległy
Maksymalna częstotliwość zegara:
-
Producent:
TOSHIBA
Wprowadzenie
TC58BVG2S0HTA00 od Toshiba,to EEPROM.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku,które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY

TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG0S3HTA00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG2S0HBAI4
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
![]() |
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: