S34ML04G200BHI000
Specyfikacje
Prąd zasilania — maks:
30 ma
Kategoria produktu:
Pamięć flash
Typ pamięci:
NAND
Styl montażu:
SMD/SMT
Napięcie zasilania — maks:
3,6 V
Rozmiar pamięci:
4 Gb
Opakowanie:
Płytka
Napięcie zasilania — min:
2,7 V
Opakowanie / Pudełko:
BGA-63
Zestaw:
S34ML04G2
Typ interfejsu:
Równoległy
Zakres temperatury pracy:
- 40 C do + 85 C
Prędkość:
30 sekund
Producent:
Cyprysowy półprzewodnik
Wprowadzenie
S34ML04G200BHI000, od Cypress Semiconductor, to pamięć flash.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
Related Products

S29GL032N90FFA040
Flash Memory Nor

S29GL032N90FFIS42
Flash Memory Nor

S34ML02G104TFI010
Flash Memory 2G 3V 25ns NAND Flash

S34ML04G200TFI000
Flash Memory 4G, 3V, 25ns NAND Flash

S25FL164K0XMFI013
Flash Memory 64M, 3.0V, 108Mhz Serial NOR Flash

S29PL032J70BFI120
Flash Memory 32Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash

S34ML01G100BHI000
Flash Memory 1Gb 3V 25ns NAND Flash

S29GL032N90TFI030
Flash Memory 3V 32Mb Float Gate two address 90s

S29GL064N90TFI010
Flash Memory 64Mb 3V 90ns Parallel NOR Flash

S29CD016J0PQAM113
Flash Memory Nor
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
S29GL032N90FFA040 |
Flash Memory Nor
|
|
![]() |
S29GL032N90FFIS42 |
Flash Memory Nor
|
|
![]() |
S34ML02G104TFI010 |
Flash Memory 2G 3V 25ns NAND Flash
|
|
![]() |
S34ML04G200TFI000 |
Flash Memory 4G, 3V, 25ns NAND Flash
|
|
![]() |
S25FL164K0XMFI013 |
Flash Memory 64M, 3.0V, 108Mhz Serial NOR Flash
|
|
![]() |
S29PL032J70BFI120 |
Flash Memory 32Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
|
|
![]() |
S34ML01G100BHI000 |
Flash Memory 1Gb 3V 25ns NAND Flash
|
|
![]() |
S29GL032N90TFI030 |
Flash Memory 3V 32Mb Float Gate two address 90s
|
|
![]() |
S29GL064N90TFI010 |
Flash Memory 64Mb 3V 90ns Parallel NOR Flash
|
|
![]() |
S29CD016J0PQAM113 |
Flash Memory Nor
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: