FGA20N120FTDTU
producent:
Półprzewodnik Fairchilda
Opis:
Tranzystory IGBT 1200V N-Chan Trench
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Tranzystory IGBT
Styl montażu:
Przez dziurę
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1200 V
Opakowanie / Pudełko:
TO-3PN-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki:
+/- 25 V
Opakowanie:
Rurka
konfiguracja:
Samotny
Producent:
Półprzewodnik Fairchilda
Wprowadzenie
FGA20N120FTDTU, od Fairchild Semiconductor, to tranzystory IGBT.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
FGH60N60UFDTU
FGH75T65UPD
FGH40N60SMDF
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
|
|
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
|
|
FGH60N60UFDTU |
|
|
|
|
FGH75T65UPD |
|
|
|
|
FGH40N60SMDF |
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: