FF200R12KT4
producent:
Technologie Infineon
Opis:
Moduły IGBT N-CH 1,2KV 320A
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Moduły IGBT
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1200 V
Opakowanie / Pudełko:
62 mm
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
konfiguracja:
Podwójny
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
320 A
Produkt:
Moduły krzemowe IGBT
Producent:
Infineon Technologies
Wprowadzenie
FF200R12KT4 firmy Infineon Technologies to moduły IGBT.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: