2SC5707-E
producent:
ONSEM
Opis:
Tranzystory bipolarne - BJT BIP NPN 8A 50V
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
NPN
Kategoria produktu:
Tranzystory bipolarne - BJT
Styl montażu:
Przez dziurę
Maksymalny prąd kolektora DC:
11A
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
50 V
Opakowanie / Pudełko:
TO-251-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Uzyskaj produkt szerokości pasma fT:
330MHz
konfiguracja:
Samotny
Kolektor-napięcie bazowe VCBO:
100 V
Zestaw:
2SC5707
Napięcie bazowe emitera VEBO:
6 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
160 mV, 110 mV
Producent:
pół
Wprowadzenie
2SC5707-E, od onsemi, to Bipolar Transistors - BJT. to co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: