FF150R12RT4
producent:
Technologie Infineon
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramka-emiter:
100 nA
Kategoria produktu:
Moduły IGBT
Ciągły prąd kolektora przy 25 C:
150 A
Pd — rozpraszanie mocy:
790 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max:
1200 V
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Opakowanie:
Wyroby masowe
konfiguracja:
Podwójny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
1,75 V
Produkt:
Moduły krzemowe IGBT
Producent:
Infineon Technologies
Wprowadzenie
FF150R12RT4 firmy Infineon Technologies to moduły IGBT.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: