MRF282ZR1
producent:
NXP USA Inc.
Opis:
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-200Z
Napięcie — test:
26 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
2 GHz
Zyski:
11,5dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-200Z
Bieżący — Test:
75 mA
Moc - Wyjście:
10w
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF28
Wprowadzenie
RF Mosfet 26 V 75 mA 2GHz 11,5 dB 10W NI-200Z
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: